本文来自：码农黄师傅，作者：黄师傅，题图来自：AI生成我打算从存储系统架构师的角度谈谈如何用好SSD。本文中的“存储系统”，指的是全闪阵列，或者全闪分布式块。以前我做zStorage的时候，遇到一个问题：性能测试时间长了，写入SSD的数据量大了，写性能就下降。当时我猜测，多半是SSD后台启动了GC（垃圾收集），导致了写性能下降。没有证据，也就只能是猜测。从去年开始，我花了很多时间学习SSD，现在我可以肯定地说，就是SSD的后台GC影响了写性能。本文不打算详细讲解“为什么SSD需要做GC”，也不讲“SSD怎么做GC”，这些内容网上有很多，不了解的读者自行百度或Deepseek，推荐Deepseek。本文重点讲那些以前我不了解的、但对存储系统有影响的SSD特性。SSD的写比读性能差，随机写比顺序写差很多。现在采用PCIe Gen5 x4的NVMe SSD，主机接口带宽可以达到15.7GB/s，顺序读可以达到14.5GB/s，要去掉一些命令开销。详见下表：上表可以看出，4KB随机写的PCIe带宽利用率只能跑到15%。很明显，PCIe接口不是瓶颈，那瓶颈在什么地方？实际上，SSD的写性能瓶颈在NAND Flash上。现在企业SSD中最常用的TLC Nand Flash，一般要求一次性写入同一个WL的3个页，如果每个页8KB，那么3个页就是24KB。写入这3个8KB页需要花大约700us。也就是说，一个Flash芯片的写性能只能达到24KB / 700us = 35MB /s，如果要达到10GB/s性能，一个SSD需要配置大约300个Nand Flash芯片。看网上的SSD照片，似乎没有那么多Flash芯片？实际上，一般单个Flash芯片内部会封装很多个独立的Die（切割好的硅片），每个Die内部还有多个Plane，多个Plane可以一起执行写命令。也就是说，实际上不是300个芯片，而是300个Plane。按照每个die容量1Tb计算，15.36TB的SSD大约需要配置140个die，每个Die里面有2个Plane，顺序写性能大约就是10GB/s。为什么读性能那么高？因为读一个Flash页只需要40us。那么，又为什么随机写性能（带宽利用率14%）比顺序写性能（70%）低那么多？随机写性能低的主要原因是GC导致的写放大（WAF）很高。如果是顺序写，那么Nand Flash上数据也是被顺序覆盖掉的，一个GC回收单元里面所有Flash数据都被一起覆盖掉了，虽然还有GC流程，但是一个GC回收单元里面的所有页面都被覆盖掉了，没有有效数据页了，也就不需要拷贝数据了，所以没有写放大（WAF = nand_write_bytes / host_write_bytes = 1.0）。如果是4KB随机写，一个GC回收单元内部还有很多有效数据页，这些数据需要被复制到Nand Flash的新位置，才能删除GC回收单元。这个复制过程，会引入写放大。如果用fio做4kb随机写测试，有些型号的SSD在极限情况下写放大（WAF）可以达到4.5甚至5.0，也就是nand flash里面写入5TB数据，只有1TB是主机写入SSD盘的，另外写入的4TB数据是GC复制流程产生的。例如，上表中SSD顺序写性能10GB/s，4KB随机写性能52万IOPS，那么这个型号的SSD在4KB随机写极限情况下写放大就是WAF = 10*1E9 / (52 * 1E4 * 4096) = 4.7。GC导致的写放大不仅仅造成随机写性能低，还会影响SSD的寿命。因为导致Nand Flash芯片磨损的主要因素是擦写循环的次数，也就是往Nand Flash写入的数据量。存储系统是否有办法降低写放大？一种容易想到的办法是：把对SSD的随机写，全部改成顺序写。对这个想法，我的观点是：没必要为了减小SSD写放大这么做。如果你的系统本来就是追加写（Append-Only）的设计，那么对SSD自然就是顺序写，例如：RocksDB或者ZFS这种追加写的系统，不需要专门去做什么设计。如果存储系统是原地写（Update-In-place）的设计，改成追加写确实可以减小SSD内部的写放大，但是不能减小整个系统端到端的写放大，也就是写入Nand Flash数据量并没有减少。因为改成对SSD追加写，存储系统就要增加GC流程，也就是把写放大从SSD内部搬到了存储系统软件中。从更上层应用角度看，整体写放大并没有减少。上面做法也有另外一个好处，就是存储系统可以决定什么时候启动GC流程。如果你知道什么时候业务压力低，就在业务压力低的时候启动GC流程，这样可以把GC对性能的负面影响降低到最小。SSD内部GC流程，总是倾向于尽量晚一点启动，因为晚一点启动GC流程，就会有更多的数据页被覆盖，这样需要复制的有效页就少一点，写放大也就会小一点。在我看来，这个好处并不够大，不值得为了这个把存储系统改为追加写。另一个需要注意的问题是：如果你决定改为追加写模式，那么一定要做彻底一点，追加写数据块的长度要尽量大。一般来说，现在企业SSD内部都会在Flash芯片之间做RAID，这样一旦发生LDPC无法纠正的错误（例如die失效），就可以通过RAID来恢复数据。企业SSD的GC回收单元是Super Block，构成一个RAID组所有die上对应的Block共同构成一个Super Block，这个Super Block中有一个Block是用来存放parity的，其他Block用来存放用户数据。一个Super Block会被GC流程整体回收擦除。RAID导致了GC回收单元的尺寸相当大，例如物理Flash芯片的Block大小是64MB，如果构成一个RAID的Super Block中有300个Block，Super Block的大小64MB * 300 = 19 GB。如果存储系统改为追加写之后，存储系统使用8MB的回收单元做GC，对于19GB大小GC回收单元的SSD来说，这个上层存储系统依然是随机写，不是顺序写。SSD做GC的时候，一个19GB大小的回收单元中，会有很多8MB的空洞，也会有很多8MB的有效数据。SSD的GC依然需要做数据复制，无法起到减小SSD写放大的作用。除了顺序写可以降低WAF之外，TRIM也能起到显著降低WAF的作用。当GC选中一个Super Block进行回收的时候，如果这个Super Block中有很多数据页实际上是无效的，但是还没有被新数据覆盖，也没有TRIM命令把它删除掉，那么GC流程就必须把它当作有效数据页进行复制。如果有TRIM命令把这个页面标记为无效，GC流程就不需要复制它了，就减小了写放大。Linux的ext4文件系统的mount命令有一个参数-o discard，mount的时候加了这个参数就会给SSD下发TRIM命令。除了顺序写和TRIM之外，增加OP空间（Over Provisioning）页能减小WAF。因为OP空间大了，GC流程就可以晚一些启动，SSD就可以先处理更多的写和TRIM命令，被GC选中回收的super block中的有效页面就更少，需要复制的页面更少，WAF就会更小。还有一个能降低写放大的方法是FDP。存储系统先预测哪些数据寿命短，哪些数据寿命长，然后通过FDP把预测的数据寿命告诉SSD。SSD在写入数据的时候，把寿命相同的数据放到一个Super Block中，这样当某个Super Block被选中回收的时候，里面需要复制的有效数据页就非常少，WAF就会比较小。很多企业级SSD内部的FTL粒度是4KB的，也就是一个FTL表项指向一个4KB的Nand Flash物理地址。如果存储系统下发的写操作里面有很多小于4KB的写请求，例如512Bytes的，那么SSD就需要先把4KB数据读出来，修改512B，然后再把4KB写回去。这也会影响性能，另外也造成了另外一种写放大。但如果是512B的连续写，例如写WAL日志，这是不影响的。因为企业SSD内部有备电电容，主机写到SSD的512B数据，会被暂时放到内存中，凑齐4KB之后再写Flash。也就是说，存储系统应该尽量避免不足4KB的随机写。另外，现在市面上有些超大容量（30TB、60TB、…）QLC SSD的FTL粒度不是4KB，可能是16KB或者更大的，对它们要避免不足16KB的随机写。有些存储系统会在数据写入SSD之后，立刻读出做个校验，以确保数据被正确写入了。对于SSD来说，这个做法很不好。因为如果立刻读出Nand Flash刚写入的数据，此时Nand处于不稳定状态，误码率会比较高，这可能会影响性能，也可能导致SSD内部读电压调整算法的误动作。存储系统应该尽量避免写入数据之后立刻读。SSD是否会产生坏道？是的，不过SSD产生坏道的原因跟HDD不一样。现在的TLC/QLC Nand Flash介质的误码率是非常高的，有些甚至可以达到10E-4，也就是一个4KB数据页写入Nand Flash之后，再读出来的时候，几乎必然有几个bits是错的。这些错误就是靠LDPC算法和RAID算法来恢复的，但是SSD并不能保证数据一定能被恢复。遇到无法恢复的情况，就只能把这个LBA地址的数据标记为坏道。跟HDD的坏道不一样的是，这个坏道LBA地址再重写一遍，状态就恢复了，就不再是坏道了。我搞zStorage的时候，曾经被一个问题困扰：如果读SSD的时候遇到了坏道，是否意味着这个SSD里面还有很多坏道？是否需要对这个SSD做一次全盘扫描？是否需要把这个SSD从系统中踢掉？实际上，NVMe标准提供了一个命令LBA status，这个命令可以把这个SSD的所有坏道都返回给主机，主机只需要对这些坏道数据做恢复并重写就可以了，不需要对整个SSD做全盘扫描。因为全盘扫描相当耗费时间，并且影响性能。SSD自己也会在启动内部任务在后台做扫描，并且把无法恢复的数据块标记出来。当然，存储系统每隔一段时间做一次全盘扫描，也是有必要的，毕竟自己才是最可靠的。如果充分利用LBA status这个命令，这个全盘扫描的时间间隔可以长一点。还有一点是，工作温度对SSD的影响很大，温度升高的时候，Nand Flash的误码率会升高，这会影响SSD的性能，因为需要花更多时间来恢复数据。另外，工作温度对SSD的寿命也有负面影响，高温会加速Flash Cell的隧穿氧化层老化。我能想到的，就这么多了。本文不代表任何组织。文章内容也许有错误，欢迎批评指正。本文来自：码农黄师傅，作者：黄师傅
